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          光學膜厚儀
          簡要描述:

          光學膜厚儀是一款精準又好用的薄膜厚度測量設備。它能測低至20納米的超薄薄膜,測量誤差小于1納米,最快每秒可測100次,重復測量精度高達0.05納米。它采用雙光源組合,覆蓋紫外到紅外全光譜,抗干擾能力強,在振動或復雜環境下也能穩定工作。

          • 產品型號:LJ-FT50UV
          • 廠商性質:生產廠家
          • 更新時間:2026-03-12
          • 訪  問  量:216

          詳細介紹

          品牌藍景類型薄膜
          測量范圍約20nm~50μm(折射率1.5時)電源電壓220V±20V50HzAC/V
          產地國產

          設備搭載寬光譜復合光源,覆蓋紫外至近紅外波段,可精準解析單層、雙層乃至多層復合膜系的各層厚度與折射率(n&k 值),無需復雜建模,一鍵自動分析。針對微小區域檢測需求,支持最小 φ3μm 微光斑測量,可對精密元器件、微型模組、圖案化樣品進行定點檢測,滿足高-端研發與制程監控的極-致要求。

          一、產品簡介

          光學膜厚儀是一款精準又好用的薄膜厚度測量設備。它能測低至20納米的超薄薄膜,測量誤差小于1納米,最-快每秒可測100次,重復測量精度高達0.05納米。它采用雙光源組合,覆蓋紫外到紅外全光譜,抗干擾能力強,在振動或復雜環境下也能穩定工作。

          二、應用領域

          光學膜厚儀廣泛應用于半導體與微電子制造、顯示面板、光學器件制造、生物醫學、汽車及新材料與新能源研發等領域,能滿足從晶圓鍍膜、顯示面板薄膜到光學元件鍍膜、醫-用植入物涂層、汽車玻璃膜層及新能源薄膜的高精度厚度檢測需求,助力各行業提升產品質量與研發效率。

          三、測試原理

          反射膜厚儀基于白光干涉原理工作,光源發出的寬帶光入射至待測薄膜表面后,經薄膜上下表面反射形成的兩束反射光會因光程差產生干涉,干涉信號中包含薄膜厚度、光學常數等關鍵信息,設備通過探頭采集干涉后的反射光譜,對特定波段范圍內的光譜進行模型擬合后,即可反演解析出薄膜的厚度、光學常數及粗糙度等參數,整個系統由高強度組合光源提供寬光譜入射光,經光學系統傳輸至樣品,反射光返回后由高速光譜模塊采集信號,最終通過上位機軟件完成數據處理與結果輸出。

          光學膜厚儀

          四、產品特點

          1. 精準測量:支持20nm超薄膜厚檢測,準確度±1nm、重復精度0.05nm,滿足精密檢測需求;

          2. 高速采樣:最-高采樣速度100Hz,適配產線快速檢測,提升測量效率;

          3. 寬光譜覆蓋:采用氘鹵組合光源,光譜覆蓋紫外至近紅外,可解析單層/多層膜厚;

          4. 強抗干擾性:高靈敏度元器件搭配抗干擾光學系統+多參數反演算法,復雜環境下測量穩定;

          5. 靈活易適配:支持自定義膜結構測量,設備小巧易安裝,配套軟件及二次開發包,適配實驗室/產線多場景。



          五、技術參數

          型號LJ-FT50UVLJ-FT50NIR
          建議工作距離非聚焦光束,安裝距離5至10mm安裝側面出光附加鏡時:34.5mm±2mm;
          軸向出光時:55mm±2mm;
          測量角度±10°±5°
          光斑類型彌散光斑;在10mm安裝距離時,光斑直徑約為4mm;聚焦光斑;約200μm
          探頭外徑*長度Φ6.35*3200mm3Φ20*73mm
          探頭重量190g108g(探頭)、49g(附加鏡)
          光源類型氘鹵光源鹵素光源
          波長范圍190-1100nm400-1100nm;1000-1700nm
          測厚范圍約20nm~50μm(折射率1.5時)約50nm~50μm(折射率1.5時)
          適配探頭UV-VISVIS-NIR軸向;
          VIS-NIR徑向;(標配其一)
          可連探頭數量1
          探頭防護等級IP40
          重復精度0.05nm
          準確度<±1nm或±0.3%(取較大值)
          采樣頻率Max.100Hz(視求解參數復雜度而定)
          測控軟件專用上位機軟件
          電源電壓220V±20V50HzAC/
          最-大功率50W
          工作溫度-10至+40℃
          相對濕度20%至85%RH(無冷凝)
          控制器重量約5000g





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